三菱电机在其位于福冈市的功率元器件制作所内建立了SiC功率半导体试制生产线。该生产线具有每月生产3000片直径4英寸（100mm）SiC底板的处理能力。将在2010年3月底之前开始向公司内部供货耐压600～1700V的样品。

　　三菱电机在其位于福冈市的功率元器件制作所内建立了SiC功率半导体试制生产线。该生产线具有每月生产3000片直径4英寸（100mm）SiC底板的处理能力。将在2010年3月底之前开始向公司内部供货耐压600～1700V的样品。该公司计划将该试制生产线积累的制造技术移交给业务部，力争2011年第一季度（1～3月）实现量产。

　　三菱电机的SiC功率半导体的开发“已从此前的研究水平的试制过渡到了量产实用化的开发阶段”（该公司公关部）。预计此生产线生产的样品不仅向该公司的半导体元器件部门，还将向太阳能电池用功率调节器及汽车等相关部门提供。该公司未透露试制何种类型的SiC功率半导体。关于是否向其他公司提供样品“目前也尚未决定”（该公司宣传部）。

　　此试制生产线于09年3月动工，12月竣工。无尘室的占地面积为1250m2。该公司已投资35亿日元导入了大部分制造设备。预定今后将配置180名工作人员，在2011年度底之前再投资100亿日元的开发经费。